{rfName}
A

Indexat a

Llicència i ús

Icono OpenAccess

Altmetrics

Anàlisi d'autories institucional

Iniguez, BenjaminAutor o coautor

Compartir

22 desetembre de 2025
Publicacions
>
Article
Sí

A closed-form model for programming of oxide-based resistive random access memory cells derived from the Stanford model

Publicat a: Solid-State Electronics. 230 109238- - 2025-12-01 230(), DOI: 10.1016/j.sse.2025.109238

Autors:

Dersch, N; Perez, E; Wenger, C; Schwarz, M; Iniguez, B; Kloes, A
[+]

Afiliacions

BTU Cottbus Senftenberg, Cottbus, Germany - Autor o coautor
IHP Leibniz Inst High Performance Microelect, Frankfurt, Oder, Germany - Autor o coautor
THM Univ Appl Sci, NanoP, Giessen, Germany - Autor o coautor
Univ Rovira i Virgili, DEEEA, Tarragona, Spain - Autor o coautor
Veure més

Resum

This paper presents a closed-form model for pulse-based programming of oxide-based resistive random access memory devices. The Stanford model is used as a basis and solved in a closed-form for the programming cycle. A constant temperature is set for this solution. With the closed-form model, the state of the device after programming or the required programming settings for achieving a specific device conductance can be calculated directly and quickly. The Stanford model requires time-consuming iterative calculations for high accuracy in transient analysis, which is not necessary for the closed-form model. The closed-form model is scalable across different programming pulse widths and voltages.
[+]

Paraules clau

Closed-formModelingOxide-basedPulse-programmingResistive random access memoryStanford modelVariability

Indicis de qualitat

Impacte bibliomètric. Anàlisi de la contribució i canal de difusió

El treball ha estat publicat a la revista SOLID-STATE ELECTRONICS, i encara que la revista està classificada al quartil Q4 (Agencia WoS (JCR)), el seu enfocament regional i la seva especialització en Engineering, Electrical & Electronic, li atorguen un reconeixement prou significatiu en un nínxol concret del coneixement científic a nivell internacional.

[+]

Impacte i visibilitat social

Des de la dimensió d'influència o adopció social, i prenent com a base les mètriques associades a les mencions i interaccions proporcionades per agències especialitzades en el càlcul de les denominades "Mètriques Alternatives o Socials", podem destacar a data 2026-04-26:

  • L'ús d'aquesta aportació en marcadors, bifurcacions de codi, afegits a llistes de favorits per a una lectura recurrent, així com visualitzacions generals, indica que algú està fent servir la publicació com a base del seu treball actual. Això pot ser un indicador destacat de futures cites més formals i acadèmiques. Aquesta afirmació està avalada pel resultat de l'indicador "Capture", que aporta un total de: 1 (PlumX).

És fonamental presentar evidències que recolzin l'alineació plena amb els principis i directrius institucionals sobre Ciència Oberta i la Conservació i Difusió del Patrimoni Intel·lectual. Un clar exemple d'això és:

  • El treball s'ha enviat a una revista la política editorial de la qual permet la publicació en obert Open Access.
  • Assignació d'un Handle/URN com a identificador dins del Dipòsit en el Repositori Institucional: http://hdl.handle.net/20.500.11797/imarina9465560
[+]

Anàlisi del lideratge dels autors institucionals

Aquest treball s'ha realitzat amb col·laboració internacional, concretament amb investigadors de: Germany.

Hi ha un lideratge significatiu, ja que alguns dels autors pertanyents a la institució apareixen com a primer o últim signant, es pot apreciar en el detall: Primer Autor (Dersch, Nadine) .

l'autor responsable d'establir les tasques de correspondència ha estat Dersch, Nadine.

[+]

Reconeixements vinculats a l’ítem

The authors would like to thank the German Research Foundation (DFG) for funding this work under grant 546680029.
[+]