{rfName}
A

Indexado en

Licencia y uso

Icono OpenAccess

Altmetrics

Investigadores/as Institucionales

Iniguez, BenjaminAutor o Coautor

Compartir

22 de septiembre de 2025
Publicaciones
>
Artículo
Sí

A closed-form model for programming of oxide-based resistive random access memory cells derived from the Stanford model

Publicado en: Solid-State Electronics. 230 109238- - 2025-12-01 230(), DOI: 10.1016/j.sse.2025.109238

Autores:

Dersch, N; Perez, E; Wenger, C; Schwarz, M; Iniguez, B; Kloes, A
[+]

Afiliaciones

BTU Cottbus Senftenberg, Cottbus, Germany - Autor o Coautor
IHP Leibniz Inst High Performance Microelect, Frankfurt, Oder, Germany - Autor o Coautor
THM Univ Appl Sci, NanoP, Giessen, Germany - Autor o Coautor
Univ Rovira i Virgili, DEEEA, Tarragona, Spain - Autor o Coautor
Ver más

Resumen

This paper presents a closed-form model for pulse-based programming of oxide-based resistive random access memory devices. The Stanford model is used as a basis and solved in a closed-form for the programming cycle. A constant temperature is set for this solution. With the closed-form model, the state of the device after programming or the required programming settings for achieving a specific device conductance can be calculated directly and quickly. The Stanford model requires time-consuming iterative calculations for high accuracy in transient analysis, which is not necessary for the closed-form model. The closed-form model is scalable across different programming pulse widths and voltages.
[+]

Palabras clave

Closed-formModelingOxide-basedPulse-programmingResistive random access memoryStanford modelVariability

Indicios de calidad

Impacto bibliométrico. Análisis de la aportación y canal de difusión

El trabajo ha sido publicado en la revista SOLID-STATE ELECTRONICS, y aunque la revista se encuentra clasificada en el cuartil Q4 (Agencia WoS (JCR)), su enfoque regional y su especialización en Engineering, Electrical & Electronic, le otorgan un reconocimiento lo suficientemente significativo en un nicho concreto del conocimiento científico a nivel internacional.

[+]

Impacto y visibilidad social

Desde la dimensión de Influencia o adopción social, y tomando como base las métricas asociadas a las menciones e interacciones proporcionadas por agencias especializadas en el cálculo de las denominadas “Métricas Alternativas o Sociales”, podemos destacar a fecha 2026-04-26:

  • La utilización de esta aportación en marcadores, bifurcaciones de código, añadidos a listas de favoritos para una lectura recurrente, así como visualizaciones generales, indica que alguien está usando la publicación como base de su trabajo actual. Esto puede ser un indicador destacado de futuras citas más formales y académicas. Tal afirmación es avalada por el resultado del indicador “Capture” que arroja un total de: 1 (PlumX).

Es fundamental presentar evidencias que respalden la plena alineación con los principios y directrices institucionales en torno a la Ciencia Abierta y la Conservación y Difusión del Patrimonio Intelectual. Un claro ejemplo de ello es:

  • El trabajo se ha enviado a una revista cuya política editorial permite la publicación en abierto Open Access.
  • Asignación de un Handle/URN como identificador dentro del Depósito en el Repositorio Institucional: http://hdl.handle.net/20.500.11797/imarina9465560
[+]

Análisis de liderazgo de los autores institucionales

Este trabajo se ha realizado con colaboración internacional, concretamente con investigadores de: Germany.

Existe un liderazgo significativo ya que algunos de los autores pertenecientes a la institución aparecen como primer o último firmante, se puede apreciar en el detalle: Primer Autor (Dersch, Nadine) .

el autor responsable de establecer las labores de correspondencia ha sido Dersch, Nadine.

[+]

Reconocimientos ligados al ítem

The authors would like to thank the German Research Foundation (DFG) for funding this work under grant 546680029.
[+]